化合物半導體行業(yè)概念股有哪些啊？2022最新化合物半導體龍頭股名單
日期：2022-08-14 14:24:41 來源：互聯(lián)網(wǎng)
2022 化合物半導體概念股大會召開，展望技術現(xiàn)狀及商業(yè)化前景8 月3 日~4 日，2022 化合物半導體先進技術及應用大會（以下簡稱“大會”）在蘇州太倉順利召開。大會討論了碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等化合物半導體概念股的技術現(xiàn)狀及展望。我們觀察到：1）隨著襯底價格下探、800V 架構時代來臨，SiC 在汽車中滲透持續(xù)提速；2）GaN 有望從消費類應用走向更大功率場景，但整體市場規(guī)模小于SiC；3）隨著多結技術的發(fā)展及工藝的成熟，VCSEL 芯片龍頭股的功率密度、發(fā)散角等性能持續(xù)優(yōu)化，有望加速在車載激光雷達領域的應用。
碳化硅襯底制備高壁壘，國內外廠商積極布局新興技術碳化硅龍頭股襯底在長晶、切割、研磨&拋光三大制造流程均面臨較大技術難點，使得碳化硅襯底成本持續(xù)高企，我們看到國內外企業(yè)在三大流程中積極研發(fā)布局新興技術解決成本問題，未來襯底價格有望持續(xù)下降。長晶方面，日本開始積極研發(fā)LPE（溶液法），替代傳統(tǒng)PVT（物理氣相傳輸法），以解決長晶條件苛刻、生長速度慢、擴徑難、液相界面不穩(wěn)定等難點。晶棒切割方面，歐洲、日本等積極布局激光剝離技術，較傳統(tǒng)多線切割法無線損，效率提升2-3 倍。研磨&拋光方面，通過晶圓減薄技術，可較雙端面研磨實現(xiàn)更低裂片率；采用多步化學機械拋光，實現(xiàn)更高穩(wěn)定性和適用于更大尺寸襯底。
全球碳化硅滲透提速，海外龍頭廠商業(yè)績彰顯行業(yè)光明前景此次會議上，Yole 預計全球碳化硅功率器件龍頭股市場規(guī)模將由2021 年的10.9億美元增長至2027 年的62.97 億美元，對應CAGR 為34%，主要受到新能源汽車市場的驅動，占比將提升至79%。從近期海外龍頭廠商業(yè)績來看，碳化硅滲透呈現(xiàn)提速趨勢。ST 預期23 年碳化硅收入將達到10 億美元（此前預期24 年）。安森美上調22 年碳化硅收入為21 年的3 倍（此前預期為2倍），并認為23 年碳化硅收入將超過10 億美金。同時，安森美預計未來三年碳化硅長協(xié)將累計帶來40 億美元收入（此前預期26 億美元），其中90%來自汽車。英飛凌預計到2025 年左右，碳化硅相關收入將超過10 億美元。
氮化鎵有望逐步走出消費類場景，在數(shù)據(jù)中心/汽車/新能源發(fā)電等領域放量根據(jù)Yole，2021 年氮化鎵功率器件下游應用中，消費電子占比63.2%，以消費類快充應用為主，主要由于當前氮化鎵器件技術制約，難以實現(xiàn)在10KW、1200V 以上的大功率場景應用。以新能源汽車為例，當前多用于DCDC、OBC 等小功率場景，難以在電機控制器實現(xiàn)應用。但我們看到國內外科研機構、高校、公司等正在器件結構等方面進行嘗試（多溝道結構、垂直PIN 結構等），我們認為氮化鎵功率器件在未來有望逐步拓寬在服務器、新能源汽車主驅、光伏逆變器等更大功率場景下的應用前景。SiC/GaN 相關國內上市標的包括：天岳先進、斯達半導、時代電氣、三安光電等。
VCSEL：多結技術推動功率密度提升，加速車載雷達龍頭股領域應用大會上長光華芯展示了多結VCSEL 的積極進展，公司8 結VCSEL 功率密度已達1800W/mm2 以上，發(fā)散角可控制在18°左右。未來隨著多結技術的成熟，以及模式控制、工藝優(yōu)化等，VCSEL 芯片的功率密度及發(fā)散角等性能指標有望進一步優(yōu)化，加速其在車載激光雷達龍頭股領域的應用。此外相比于EEL，VCSEL 具備更高的定制化屬性，客戶對于VCSEL 的峰值功率、陣列排布方式、可尋址設計等需求呈現(xiàn)多樣化�；诖吮尘埃覀兛春貌扇DM模式的VCSEL 廠商或能更靈活響應下游客戶需求，有望率先受益于車載雷達用VCSEL 行業(yè)的快速發(fā)展。國內相關上市標的包括長光華芯、德明利等。
風險提示：技術發(fā)展不及預期；行業(yè)龍頭股競爭加劇。
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